Mittelgeber : DFG; IBM
Forschungsbericht : 1994-1996
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Kritische Dimensionen im sub-100nm-Bereich können die Eigenschaften von konventionellen elektronischen Bauelementen drastisch verändern, ermöglichen völlig neuartige Bauelemente, die z. B. auf Elektroneninterferenzeffekten, Tunneleffekt oder auf Coulomb-Blockade beruhen, ermöglichen Röntgenmikroskopie mit sub-100nm Auflösung mittels Beugungsoptiken und verändern optische, elektrische, magnetische oder mechanische Materialeigenschaften. Hochauflösende Elektronenstrahllithographie stellt die Hauptmethode zur Herstellung von Strukturen mit solchen Dimensionen dar und wurde daher durch Ausbau einer von IBM geschenkten Anlage etabliert. Möglichkeiten der Strukturierung mit dem Rastertunnelmikroskop werden untersucht. Hochauflösende Lack- und Musterübertragungsprozesse werden entwickelt. Experimente zur Herstellung neuartiger Bauelemente, beruhend auf Elektroneninterferenz und Tunneln zwischen benachbarten zweidimensionalen Elektronengasen haben begonnen.
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qvf-info@uni-tuebingen.de(qvf-info@uni-tuebingen.de) - Stand: 30.11.96